告別傳統(tǒng)研磨液：LHA墊®如何重塑SiC晶圓的高效加工工藝？

更新時間：2026-01-14

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在半導體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其優(yōu)異的物理性能，正逐漸成為新能源汽車、5G通信等高功率器件的首的選材料。然而，SiC晶圓的加工卻是一項極的具挑戰(zhàn)的工程——它硬度極的高、脆性大，傳統(tǒng)的研磨工藝往往面臨著效率低、成本高、表面缺陷多的難題。

Noritake（則武）推出的LHA墊®（Loosely Held Abrasive），作為一種革命性的“砥粒內(nèi)包型研磨工具"，正在打破這一僵局。它通過獨特的結(jié)構(gòu)設計，不僅實現(xiàn)了**“無需研磨液"**的突破，更在效率與品質(zhì)上樹立了新的標的桿。

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1. 核心結(jié)構(gòu)：從“涂抹"到“內(nèi)包"

傳統(tǒng)的研磨工藝通常依賴于將磨料（砥粒）混合在液體中（即研磨液/Slurry），通過研磨墊將磨料帶到晶圓表面進行切削。這種方式不僅消耗大量昂貴的研磨液，還容易導致磨料團聚，造成晶圓表面劃痕。

LHA墊®采用了完的全不同的思路。它將砥粒內(nèi)包于纖維狀的母材樹脂中，形成一種**“非的完的全固定"**的結(jié)構(gòu)。

技術(shù)原理： 砥粒并非像傳統(tǒng)砂紙那樣被死死粘住，而是被“松散地保持"在樹脂內(nèi)部。
作用機制： 在研磨壓力和化學液體的作用下，砥粒會從樹脂中逐漸露出并脫落，始終保持鋒利的切削狀態(tài)。

2. 工藝重塑：徹的底“告別研磨液"

LHA墊®最的大的顛的覆性在于它不需要使用含砥粒的研磨液（Slurry）。

單一耗材： 僅需配合化學性質(zhì)穩(wěn)定的液體（如KMnO4系酸性研磨液，且不含砥粒）即可。
成本降低： 省去了昂貴的含粒研磨液，大幅降低了耗材成本。
流程簡化： 由于不需要頻繁調(diào)整研磨液的配比和流量，工藝流程變得更加簡單易控。

3. 性能飛躍：效率與品質(zhì)的雙重提升

在6英寸SiC晶圓的實際加工測試中，LHA墊®展現(xiàn)出了驚人的性能。

?? 性能對比實測數(shù)據(jù)

加工方式	研磨能率 (nm/h)	表面質(zhì)量	壽命表現(xiàn)
LHA墊® + 酸性液	1600 (最的高可達1800)	無劃痕 (Scratch-less)	3倍以上
傳統(tǒng)無紡布墊 + 研磨液	1000	存在劃痕風險	標準
硬質(zhì)聚氨酯墊 + 研磨液	1300	一般	較短

效率提升1.6倍： LHA墊®的研磨能率約為傳統(tǒng)無紡布墊的1.6倍，加工速度從1000nm/h提升至1600nm/h，顯著縮短了加工時間。
零劃痕加工： 得益于其獨特的化學機械研磨（CMP）效果，LHA墊®能夠?qū)崿F(xiàn)**“單工序無劃痕"**，省去了后續(xù)復雜的拋光工程。
超長壽命： 由于結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，其使用壽命是傳統(tǒng)產(chǎn)品的3倍以上，進一步攤薄了單片晶圓的加工成本。

4. 廣泛的環(huán)境適應性

除了效率和成本，LHA墊®還擁有極的強的環(huán)境適應能力。

耐藥性強： 它可以在pH值3~11（強酸至弱堿）的廣泛化學環(huán)境下穩(wěn)定使用。
規(guī)格靈活： 提供外徑φ940mm以下或更大尺寸的分割設計，表面可選同心圓溝槽或無溝槽類型，滿足不同設備的定制需求。

結(jié)語

Noritake的LHA墊®不僅僅是一款新的研磨工具，更是一次對SiC晶圓加工工藝的深度重構(gòu)。它通過**“內(nèi)包型"結(jié)構(gòu)剔除了昂貴的研磨液成本，用“高能率"**解決了SiC難加工的痛點。

對于追求降本增效的半導體制造企業(yè)而言，LHA墊®提供了一個高效、環(huán)保且經(jīng)濟的全新解決方案，正在引的領(lǐng)硬脆材料研磨技術(shù)的未來。

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